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Dispositivo optoeletrônico Wafer SiC para diodos emissores de luz

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Dispositivo optoeletrônico Wafer SiC para diodos emissores de luz

Dispositivo optoeletrônico Wafer SiC para diodos emissores de luz
Dispositivo optoeletrônico Wafer SiC para diodos emissores de luz

Imagem Grande :  Dispositivo optoeletrônico Wafer SiC para diodos emissores de luz

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZG
Certificação: CE
Número do modelo: MS
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1 parte
Preço: USD10/piece
Detalhes da embalagem: Caixa de madeira forte para o transporte global
Tempo de entrega: 3 dias de trabalho
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 10000 partes pelo mês

Dispositivo optoeletrônico Wafer SiC para diodos emissores de luz

descrição
Aplicação: Dispositivo de poder superior Dispositivo Optoelectronic da epitaxia de GaN do dispositivo Diodo lum Diâmetro: Ø 1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"
Espessura: 330 um ~ 350 um Categoria: Categoria da produção/categoria da pesquisa
Destacar:

Dispositivo optoeletrônico Wafer SiC

,

Wafer de SiC para diodos emissores de luz

 

 

Bolacha de SIC

 

A bolacha de semicondutor, Inc. (SWI) fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida no diâmetro 2 polegadas, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

Sic aplicação da bolacha

 

Dispositivo de alta frequência Dispositivo de alta temperatura
Dispositivo de poder superior Dispositivo Optoelectronic
Dispositivo da epitaxia de GaN Diodo luminescente

 

Sic propriedades da bolacha

 
Polytype 6H-SiC 4H-SiC
Sequência de empilhamento de cristal ABCABC ABCB
Parâmetro da estrutura a=3.073A, c=15.117A a=3.076A, c=10.053A
Faixa-Gap eV 3,02 eV 3,27
Constante dielétrica 9,66 9,6
Índice da refração n0 =2.707, ne =2.755 ne =2.777 de n0 =2.719

Especificação de produto

 
Polytype 4H / 6H
Diâmetro Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Espessura 330 um ~ 350 um
Orientação Na linha central <0001> /fora da linha central <0001> fora de 4°
Condutibilidade N - tipo/Semi-isolamento
Entorpecente N2) (do nitrogênio/V (vanádio)
Resistividade (4H-N) 0,015 ~ 0,03 ohm-cm
Resistividade (6H-N) 0,02 ~ 0,1 ohm-cm
Resistividade (SI) > 1E5 ohm-cm
Superfície O CMP lustrou
TTV <>
Curva/urdidura <>
Categoria Categoria da produção/categoria da pesquisa

 

Contacto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Pessoa de Contato: Daniel

Telefone: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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