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Detalhes do produto:
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Material: | Nitreto de silicone Si3n4 | Tamanho: | personalizado |
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Cor: | Preto | Características: | dureza alta; resistência de corrosão alta; baixa densidade; estabilidade em uma vasta gama de temper |
Destacar: | Cerâmica do nitreto de silicone Si3N4,cerâmica do nitreto de silicone 3.3g/cm3,nitreto de silicone 3.3g/cm3 Si3N4 |
Nitretos de silicone (si3N4) caracterize uma combinação excelente de propriedades materiais. São quase tão claros quanto o carboneto de silicone (sic), mas sua microestrutura dá-lhes a resistência de choque térmico excelente e sua dureza alta da fratura fá-los resistentes aos impactos e aos choques.
Todas estas combinações fazem o material insubstituível na produção de produtos resistentes à corrosão, desgaste-resistentes e resistentes ao calor para uma variedade de indústrias.
Propriedades | Tipo do material |
Composição | SN |
Si3N4 | |
Densidade, g/sm3 | 3,2-3,3 |
Porosidade isolada, % | 0 |
Dureza, GPa | 13,5-14,0 |
Força de dobra, MPa | 280-310 |
Força compressiva, MPa | 3700-3900 |
Condutibilidade térmica em 20-100°С, W/mK | 20-30 |
Coeficiente da expansão térmica linear em 20-1000°С, 10-6 К-1 | 2,6-3,3 |
°С da temperatura de funcionamento máximo Ambiente oxidativo Diminuição ou ambiente inerte |
1200 160 |
O nitreto de silicone relacionou dados
Componente principal | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Físico Propriedade |
Densidade | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
Absorção de água | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
Temperatura do sedimento | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mecânico Propriedade |
Dureza de Rockwell | Alta tensão | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Força da curvatura | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensidade da compressão | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Térmico Propriedade |
Funcionamento máximo temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
expansão térmica coeficiente 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Resistência de choque térmico | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Condutibilidade térmica | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Elétrico Propriedade |
Taxa de oposição de volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Divisão da isolação Intensidade |
KV/mm | 18 | semicondutor | 9 | 17,7 | |
Constante dielétrica (1 megahertz) | (e) | 10 | – | 29 | 7 | |
Dissipação dielétrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Pessoa de Contato: Daniel
Telefone: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196