Partes de cerâmica de nitreto de alumínio

Partes de cerâmica de nitreto de alumínio

Graças às suas propriedades de isolamento elétrico e à sua excelente condutividade térmica, a cerâmica de nitruro de alumínio (AIN) é ideal para aplicações que exigem dissipação de calor.porque tem um coeficiente de expansão térmica próximo ao do silício e excelente resistência ao plasma, é utilizado para componentes de equipamentos de processamento de semicondutores.

As cerâmicas de nitruro de alumínio (AIN) apresentam características excepcionais, conforme listado abaixo:

• Boas propriedades mecânicas,
• Resistência à flexão superior à da cerâmica Al2O3 e da cerâmica BeO,
• Alta temperatura e resistência à corrosão.
• Alta condutividade térmica combinada com boas propriedades de isolamento elétrico.
• Estabilidade excepcional quando exposta a grandes quantidades de sais fundidos.
• Estabilidade térmica não inferior a 1500 °C.
• Propriedades mecânicas favoráveis que se estendem ao longo da gama de altas temperaturas.
• Baixa expansão térmica e resistência ao choque térmico.
• Características ópticas e acústicas especiais.

Formação da transformação:

• Moagem por injecção de cerâmica
• Fusão por impressão a óleo sob baixa pressão
• Prensa isostática a frio
• Pressão a seco
• Fusão de fitas
• Fabricação de máquinas de precisão

Produtos cerâmicos de nitruro de alumínio:

• Radiadores de cerâmica AlN para sistemas de alta potência
• Cobre de AlN, copo de evaporação de Al e outras partes resistentes à corrosão a altas temperaturas.
• Substratos de cobre ligados diretamente (DBC)
• Barras de cerâmica AlN
• Waffle cerâmico ALN
• Substrato cerâmico ALN
• Aquecedor cerâmico AlN
• Formulário personalizado

Aplicações de componentes cerâmicos de nitruro de alumínio:

• Componentes para tecnologia de semicondutores
• Casas de circuito integrado
• Substrato de módulo térmico
• Substrato de módulos de transistores de alta potência
• Substrato de dispositivos de alta frequência
• Placas de isolamento exotérmico para módulos de tiristores
• Laser semicondutor, substrato fixo para diodo emissor de luz (LED)
• Módulo híbrido integrado, módulo do dispositivo de ignição
• Usado na sinterização de cerâmica estrutural.
• AlN Crisol para fusão de metais e cigarros eletrónicos
• Aplica-se a materiais luminosos.
• Aplicado ao material do substrato

O nitruro de alumínio (AlN) tem uma lacuna de banda máxima de 6,2 eV, proporcionando maior eficiência de conversão fotoelétrica do que os semicondutores de lacuna de banda indireta.Como importante material luminescente azul e ultravioletaAlém disso, o AlN pode formar soluções sólidas contínuas com compostos de nitritos do grupo III, como GaN e InN,e as suas ligas tri- ou quadráticas podem fornecer um intervalo de banda continuamente ajustável entre a faixa UV visível e profunda, tornando-o um importante material luminescente de alta eficiência.

Os cristais de AlN são substratos ideais para materiais epitaciais de GaN, AlGaN e AlN. Em comparação com substratos de safira ou SiC, o AlN apresenta correspondência térmica e compatibilidade química superiores com o GaN,bem como uma tensão mais baixa entre o substrato e a camada epitaxialPortanto, um cristal de AlN como substrato epitaxial de GaN pode reduzir significativamente a densidade de defeito do dispositivo, melhorar o desempenho do dispositivo e tem aplicações promissoras em altas temperaturas, alta frequência,e dispositivos eletrónicos de alta potência.

Além disso, the AlGaN epitaxial material substrate with AlN crystal as the high-Al component can effectively reduce the defect density of the nitride epitaxial layer and significantly improve the performance and lifespan of nitride semiconductor devices.

Especificação comum do substrato cerâmico ALN:

Comprimento e largura: 25,4 mm; 50,8 mm; 63,5 mm; 76,2 mm; 101,6 mm; 114,3 mm; 127 mm; 152,4 mm.

Espessura: 0,25 mm; 0,5 mm; 0,63 mm; 1 mm; 1,5 mm; 2 mm.