Componentes Cerâmicos para a Indústria Semicondutora em Geral —— Soluções de Materiais de Alta Pureza para Eletrônicos de Próxima Geração

À medida que a fabricação de semicondutores avança em direção a tamanhos de nó menores e maiores densidades de potência, os ambientes de processo exigem materiais que possam suportar calor extremo, química de plasma reativa e rigorosos padrões de limpeza. Nossos Componentes Cerâmicos Avançados são projetados especificamente para atender às rigorosas demandas do ecossistema semicondutor em geral — desde a fabricação de wafers no front-end e equipamentos de processamento até sistemas de encapsulamento e inspeção no back-end.

Portfólio de Materiais

Oferecemos uma seleção abrangente de cerâmicas técnicas de alto desempenho, adaptadas para aplicações semicondutoras específicas:

• Nitreto de Alumínio ($AlN$): Condutividade térmica excepcional ($170 sim 230 text{W/m}cdottext{K}$) combinada com excelente isolamento elétrico. Ideal para espalhadores térmicos, mandris eletrostáticos e pedestais de aquecedor.

• Carbeto de Silício ($SiC$): Dureza extrema, alto módulo de elasticidade e resistência superior ao choque térmico. Usado extensivamente em componentes de planarização químico-mecânica (CMP), anéis estruturais e tubos de difusão de alta temperatura.

• Alumina de Alta Pureza ($Al_2O_3 ge 99.8%$): Excelente rigidez dielétrica, alta resistência à erosão por plasma e desempenho econômico para revestimentos de câmara, anéis de foco e isoladores elétricos.

• Ítria ($Y_2O_3$) & Zircônia Estabilizada com Ítria ($YSZ$): Resistência excepcional à corrosão por plasma agressivo de flúor e cloro, tornando-os o material preferido para componentes de câmaras de gravação por plasma.

Vantagens Principais

1. Resistência Superior à Erosão por Plasma e Química

Alta estabilidade química garante degradação mínima quando exposto a gases agressivos de gravação e deposição ($F_2$, $Cl_2$, $NF_3$, $O_2$ plasma), reduzindo significativamente a contaminação por partículas na câmara e estendendo os intervalos de substituição de componentes.

2. Estabilidade em Alta Temperatura e Choque Térmico

Mantém a integridade mecânica, estabilidade dimensional e baixos coeficientes de expansão térmica em temperaturas acima de 1000°C, permitindo desempenho confiável em ambientes de processamento térmico rápido (RTP) e CVD.

3. Propriedades Ultra-Limpas e de Baixa Emissão de Gases

Fabricado sob rigorosas condições de sala limpa para eliminar impurezas metálicas e compostos orgânicos voláteis (COVs), garantindo compatibilidade total com padrões de processamento de alto vácuo e ultra-limpo.

4. Tolerâncias de Precisão e Acabamentos de Superfície Espelhados

Utilizando retificação de diamante multieixo, usinagem ultrassônica e polimento avançado, os componentes são acabados com tolerâncias de nível micro ($le pm 0.001 text{mm}$) e rugosidade de superfície espelhada ($Ra le 0.01 mutext{m}$).

Aplicações em Toda a Cadeia de Valor Semicondutora