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Único arsenieto de gálio da bolacha de Crystal Polycrystalline GaAs para o circuito da micro-ondas do diodo emissor de luz do LD

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Único arsenieto de gálio da bolacha de Crystal Polycrystalline GaAs para o circuito da micro-ondas do diodo emissor de luz do LD

Único arsenieto de gálio da bolacha de Crystal Polycrystalline GaAs para o circuito da micro-ondas do diodo emissor de luz do LD
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Imagem Grande :  Único arsenieto de gálio da bolacha de Crystal Polycrystalline GaAs para o circuito da micro-ondas do diodo emissor de luz do LD

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZG
Certificação: CE
Número do modelo: MS
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1 parte
Preço: USD10/piece
Detalhes da embalagem: Caixa de madeira forte para o transporte global
Tempo de entrega: 3 dias de trabalho
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 10000 partes pelo mês

Único arsenieto de gálio da bolacha de Crystal Polycrystalline GaAs para o circuito da micro-ondas do diodo emissor de luz do LD

descrição
Aplicação: fazendo o LD, o diodo emissor de luz, o circuito da micro-ondas e as aplicações da célula solar Diâmetro: Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Espessura: 350 um ~ 625 um Categoria: Epi lustrou a categoria/categoria mecânica
Destacar:

Bolacha policristalina do GaAs

,

Único Crystal Gallium Arsenide

,

Arsenieto de gálio para o diodo emissor de luz do LD

Única bolacha de cristal e policristalina do GaAs (arsenieto de gálio) para fazer LD, diodo emissor de luz, circuito da micro-ondas, célula solar

 

Nós fornecemos a única bolacha de cristal e policristalina do GaAs (arsenieto de gálio) à indústria da ótica eletrónica e da microeletrônica fazendo o LD, o diodo emissor de luz, o circuito da micro-ondas e as aplicações da célula solar, na escala do diâmetro de 2" a 4". Nós oferecemos a única bolacha de cristal do GaAs produzida por duas técnicas principais LEC do crescimento e por método de VGF, permitindo que nós forneçam clientes a escolha a mais larga do material do GaAs a uniformidade alta de propertirs elétricos e da qualidade de superfície excelente. O arsenieto de gálio pode ser fornecido como os lingotes e as bolachas lustradas, conduzindo e a bolacha deisolamento do GaAs, a categoria mecânica e a categoria pronta estão tudo do epi disponíveis. Nós podemos oferecer a bolacha do GaAs com baixo valor de EPD e a qualidade de superfície alta apropriada para suas aplicações do MOCVD e do MBE, contacta-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

 

Característica e aplicação da bolacha do GaAs

 

Característica Campo da aplicação
Mobilidade de elétron alta Diodos luminescentes
Alta frequência Diodos láser
Eficiência de conversão alta Dispositivos fotovoltaicos
Consumo da baixa potência Transistor de mobilidade de elétron alto
Diferença de faixa direta Transistor bipolar da heterojunção

 

Especificação de produto

 
Crescimento LEC/VGF
Diâmetro Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Espessura 350 um ~ 625 um
Orientação <100> / <111> / <110> ou outro
Condutibilidade P - tipo/N - tipo/Semi-isolamento
Entorpecente Zn/si/undoped
Superfície Um lado lustrou ou dois lados lustrados
Concentração 1E17 ~ 5E19 cm-3
TTV <>
Curva/urdidura <>
Categoria Epi lustrou a categoria/categoria mecânica

 

Único arsenieto de gálio da bolacha de Crystal Polycrystalline GaAs para o circuito da micro-ondas do diodo emissor de luz do LD 0

Contacto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Pessoa de Contato: Daniel

Telefone: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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