Detalhes do produto:
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Aplicação: | fazendo o LD, o diodo emissor de luz, o circuito da micro-ondas e as aplicações da célula solar | Diâmetro: | Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" |
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Espessura: | 350 um ~ 625 um | Categoria: | Epi lustrou a categoria/categoria mecânica |
Destacar: | Bolacha policristalina do GaAs,Único Crystal Gallium Arsenide,Arsenieto de gálio para o diodo emissor de luz do LD |
Única bolacha de cristal e policristalina do GaAs (arsenieto de gálio) para fazer LD, diodo emissor de luz, circuito da micro-ondas, célula solar
Nós fornecemos a única bolacha de cristal e policristalina do GaAs (arsenieto de gálio) à indústria da ótica eletrónica e da microeletrônica fazendo o LD, o diodo emissor de luz, o circuito da micro-ondas e as aplicações da célula solar, na escala do diâmetro de 2" a 4". Nós oferecemos a única bolacha de cristal do GaAs produzida por duas técnicas principais LEC do crescimento e por método de VGF, permitindo que nós forneçam clientes a escolha a mais larga do material do GaAs a uniformidade alta de propertirs elétricos e da qualidade de superfície excelente. O arsenieto de gálio pode ser fornecido como os lingotes e as bolachas lustradas, conduzindo e a bolacha deisolamento do GaAs, a categoria mecânica e a categoria pronta estão tudo do epi disponíveis. Nós podemos oferecer a bolacha do GaAs com baixo valor de EPD e a qualidade de superfície alta apropriada para suas aplicações do MOCVD e do MBE, contacta-nos por favor para mais informações sobre o produto.
Característica e aplicação da bolacha do GaAs
Característica | Campo da aplicação |
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Mobilidade de elétron alta | Diodos luminescentes |
Alta frequência | Diodos láser |
Eficiência de conversão alta | Dispositivos fotovoltaicos |
Consumo da baixa potência | Transistor de mobilidade de elétron alto |
Diferença de faixa direta | Transistor bipolar da heterojunção |
Especificação de produto
Crescimento | LEC/VGF |
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Diâmetro | Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" |
Espessura | 350 um ~ 625 um |
Orientação | <100> / <111> / <110> ou outro |
Condutibilidade | P - tipo/N - tipo/Semi-isolamento |
Entorpecente | Zn/si/undoped |
Superfície | Um lado lustrou ou dois lados lustrados |
Concentração | 1E17 ~ 5E19 cm-3 |
TTV | <> |
Curva/urdidura | <> |
Categoria | Epi lustrou a categoria/categoria mecânica |
Pessoa de Contato: Daniel
Telefone: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196