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bolacha de CdSe CdTe ZnS ZnSe dos CD da bolacha de 350um ZnO e bolacha de ZnTe

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZG
Certificação: CE
Número do modelo: MS
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1 parte
Preço: USD10/piece
Detalhes da embalagem: Caixa de madeira forte para o transporte global
Tempo de entrega: 3 dias de trabalho
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 10000 partes pelo mês

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descrição
Aplicação: dispositivo de poder, diodo emissor de luz, sensor e detector Diâmetro: Ø 1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"
Espessura: 330 um ~ 350 um Categoria: Categoria da produção/categoria da pesquisa
Destacar:

bolacha de 350um ZnO

,

Bolacha de CdSe ZnO dos CD

,

bolacha de 350um ZnTe

 

Bolacha da bolacha, dos CD de ZnO, bolacha de CdSe, bolacha de CdTe, bolacha de ZnS, bolacha de ZnSe e bolacha de ZnTe

 

Nós fornecemos bolacha de cristal de ZnO da pureza alta a única e o volume de ZnO para o dispositivo de poder, as aplicações do diodo emissor de luz, do sensor e do detector. Com uma estrutura de cristal ideal, a bolacha de ZnO (óxido de zinco) tem uma má combinação da estrutura de 2% a GaN, de que é muito menos do que a má combinação da estrutura da bolacha da safira e sic da bolacha. A bolacha de ZnO é uma da carcaça a mais apropriada para usar-se como o crescimento epitaxial de GaN e a aplicação larga do semicondutor da diferença de faixa. A bolacha de ZnO é fornecida na forma quadrada, undoped, tamanho 10 x 10 x 0,5 milímetros, os lados dobro lustraram o revestimento de superfície e orientado, nossa bolacha de alta qualidade de ZnO foi amplamente utilizada para o crescimento de

dispositivos da base do nitreto. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

Aplicação da bolacha de ZnO

 

Crescimento epitaxial de GaN Detectores UV
Dispositivos de poder Dispositivos luminescentes
Fotovoltaico Sensores

 

Propriedades da bolacha de ZnO

 
Fórmula química ZnO
Estrutura de cristal Sextavado
Entrelace constante 3,3 A
Má combinação da estrutura com o GaN <0001> no plano 9
Condutibilidade térmica 0,006 cal/cm /K
R.I. 2.0681 / 2,0510
Cara lustrada identificada Zn - cara/O - cara

Especificação de produto

 
Crescimento Hidrotermal
Volume de ZnO/bloco 26,5 x 26,5 x 10 milímetros
Bolacha de ZnO 10 x 10 x 0,5 milímetros
Orientação Cara da cara <0001> do Zn/O <000-1>
Resistividade 500 - 1000 ohm-cm
Superfície dois lados lustrados
Aspereza Ra <>
Pacote Caixa de Membrance

 

Contacto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Pessoa de Contato: Daniel

Telefone: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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