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Caixas Sic de Carbono de Silício como portador de wafer para o processo de gravação de Icp na indústria de LED

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Caixas Sic de Carbono de Silício como portador de wafer para o processo de gravação de Icp na indústria de LED

Caixas Sic de Carbono de Silício como portador de wafer para o processo de gravação de Icp na indústria de LED
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Imagem Grande :  Caixas Sic de Carbono de Silício como portador de wafer para o processo de gravação de Icp na indústria de LED

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZG
Certificação: CE
Número do modelo: MS
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1 PC
Preço: 10USD/PC
Detalhes da embalagem: Caixa de madeira resistente para o transporte marítimo global
Tempo de entrega: 7 dias úteis
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1000 peças

Caixas Sic de Carbono de Silício como portador de wafer para o processo de gravação de Icp na indústria de LED

descrição
Destacar:

Taças de carburo de silício para suportes de wafer

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ICP gravura em bandejas de carburo de silício

Caixas de carburo de silício (sic), como um suporte de bolacha para o processo de gravação ICP na indústria LED

 

O carburo de silício (SiC) é um material com excelente condutividade térmica, resistência à corrosão e baixa expansão térmica.As bandejas de carburo de silício têm excelente resistência à corrosão, grande resistência ao desgaste, grande resistência mecânica sob altas temperaturas.

 

Propriedades dos materiais:

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Processos de fabrico:

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Propriedades das bandejas de carburo de silício

Fórmula composta SiC
Peso Molecular 40.1
Aparência Negro
Ponto de fusão 2,730° C (4,946° F) (decompõe)
Densidade 30,0 a 3,2 g/cm3
Resistividade elétrica 1 a 4 10x Ω-m
Relação de Poisson 0.15 para 0.21
Calor específico 670 a 1180 J/kg-K


Especificações da bandeja de carburo de silício

Tipo SiC recristalizado SiC sinterizado SiC ligado por reacção
Purificação do carburo de silício 990,5% 98% > 88%
Max. Temporário de trabalho. 1650 1550 1300
Densidade de massa (g/cm3) 2.7 3.1 > 3
Aparência Porosidade < 15% 2.5 0.1
Resistência à flexão (MPa) 110 400 380
Resistência à compressão (MPa) > 300 2200 2100
Expansão térmica (10^-6/`C) 4.6 (1200 ̊C) 4.0 (< 500 ̊C) 4.4 (< 500 ̊C)
Condutividade térmica (W/m.K) 35 ~ 36 110 65
Principais características Alta temperatura, alta resistência.
Alta pureza
Duração da fractura Resistência química


Requisito de característica:

  1. Excelente condutividade térmica
  2. Resistente ao choque plasmático
  3. Boa uniformidade de temperatura


Aplicações de bandejas de carburo de silício

- O carburo de silício pode ser aplicado em áreas como semicondutores e revestimento.
- As nossas bandejas de carburo de silício são amplamente utilizadas na indústria de LED.

Embalagem de carburo de silício

As nossas bandejas de carburo de silício são cuidadosamente manuseadas para minimizar os danos durante o armazenamento e transporte e para preservar a qualidade dos nossos produtos na sua condição original.

 

Controle de qualidade:

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Contacto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Pessoa de Contato: Daniel

Telefone: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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