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Cerâmica quebradiça transparente com alta quebradice e baixa expansão térmica para aplicações em semicondutores

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Cerâmica quebradiça transparente com alta quebradice e baixa expansão térmica para aplicações em semicondutores

Cerâmica quebradiça transparente com alta quebradice e baixa expansão térmica para aplicações em semicondutores
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Imagem Grande :  Cerâmica quebradiça transparente com alta quebradice e baixa expansão térmica para aplicações em semicondutores

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZG
Certificação: CE
Número do modelo: EM
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1 unidade
Preço: 10USD/PC
Detalhes da embalagem: caixa de madeira forte
Tempo de entrega: 5-8 dias úteis
Termos de pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
Habilidade da fonte: 1000 unidades

Cerâmica quebradiça transparente com alta quebradice e baixa expansão térmica para aplicações em semicondutores

descrição
Destacar:

Cerâmica transparente de alta fragilidade

,

Cerâmica frágil de baixa expansão térmica

,

Cerâmica técnica de qualidade semicondutora

Cerâmica transparente e quebradiça
O vidro de quartzo, o vidro microcristalino, o safiro e outros materiais transparentes são caracterizados por alta fragilidade e dureza.A ZG realizou extensas pesquisas sobre o processamento destes materiais avançados e atualmente fornece produtos para semicondutoresOferecemos vários materiais, incluindo vidro de alto borosilicato, vidro microcristalino de ultra baixa expansão e safira para aplicações em janelas de semicondutores,Instrumentos de medição de precisão, telescópios espaciais, reatores de microcanais e outros usos especializados.
ZERODUR Vidro-cerâmica de baixa expansão térmica
Características físicas ZERODUR ZERODUR K20
Densidade (g/cm3) 2.53 2.53
Relação de Poisson 0.24 0.25
Dureza do nó HK 0,1/20 (ISO 9385) 620 620
Índice de refração 1.5424 -
Abbey Numbers vd 56.1 -
Conductividade térmica (W/m·K) 1.46 1.63
Coeficiente de difusão térmica a 20 °C (10-6 m2/s) 0.72 -
Calor específico a 20 °C (J/g·K) 0.80 0.90
Média do módulo de Young E (GPa) a 20 °C 90.3 84.7
Transmissão interna Ti com espessura de 580 nm/5 mm 0.95 -
Transmissão interna Ti com espessura de 580 nm/10 mm 0.9 -
Coeficiente óptico de tensão K (λ=589.3nm, 10−6MPa−1) 3 -
Resistividade elétrica ρ (Ω·cm) a 20°C 2.6×1013 -
Tk100°C, ρ=108 (Ω·cm) humidade 178 -
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Contacto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Pessoa de Contato: Daniel

Telefone: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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