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Silicon Carbide Plate with Exceptional Erosion Resistance, High Thermal Conductivity, and Low Thermal Expansion

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Silicon Carbide Plate with Exceptional Erosion Resistance, High Thermal Conductivity, and Low Thermal Expansion

Silicon Carbide Plate with Exceptional Erosion Resistance, High Thermal Conductivity, and Low Thermal Expansion
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Imagem Grande :  Silicon Carbide Plate with Exceptional Erosion Resistance, High Thermal Conductivity, and Low Thermal Expansion

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZG
Certificação: CE
Número do modelo: EM
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1 unidade
Preço: 10USD/PC
Detalhes da embalagem: Caixa de madeira forte para remessa global
Tempo de entrega: 5-8 dias de trabalho
Termos de pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
Habilidade da fonte: 1000 PCS
Contato

Silicon Carbide Plate with Exceptional Erosion Resistance, High Thermal Conductivity, and Low Thermal Expansion

descrição
Destacar:

Exceptional erosion resistance Silicon Carbide Plate

,

High thermal conductivity SiC Plate

,

Low thermal expansion Silicon Carbide Ceramic Plate

Silicon Carbide (SiC) Plate
Silicon carbide (SiC) shares many characteristics with diamond—it is one of the lightest, hardest, and strongest technical ceramic materials. It possesses excellent thermal conductivity, acid resistance, and low thermal expansion. Silicon carbide is an excellent material when physical wear is a significant consideration, due to its exceptional erosion and abrasion resistance.
  • Pressureless Sintered Silicon Carbide Ceramics
  • Exceptional erosion and abrasion resistance
  • Suitable for nozzles, sandblasting nozzles, and cyclone separator components
Mechanical Properties
Property Unit Silicon Carbide
Density g/cm³ 3.15
Vickers Hardness Hv0.5 2650
Flexural Strength MPa 450
Compressive Strength MPa 2650
Elastic Modulus GPa 430
Fracture Toughness MPa*m¹/² 4
Poisson's Ratio 0.14
Young's Modulus GPa 430
Silicon Carbide Raw Material Purity % 99
Thermal Properties
Property Unit Silicon Carbide
Thermal Conductivity at 25°C W/mK 110
Melting Point °C 2800
Specific Heat J/g*K 0.8
Linear Expansion Coefficient 10⁻⁶/K 4
Electrical Characteristics
Property Unit Silicon Carbide
Dielectric Constant 1MHz 10
Breakdown Voltage V/cm 1×10⁶
Dielectric Loss 1MHz 0.001
Resistivity Ω*cm 10²-10⁶
Silicon Carbide Plate with Exceptional Erosion Resistance, High Thermal Conductivity, and Low Thermal Expansion 0

etiqueta:

Cilindro SIC cerâmico de 99%,

Cilindro do carboneto de silicone das indústrias do semicondutor,

Bocais ácidos sic sulfúricos do atomizador

Contacto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Pessoa de Contato: Daniel

Telefone: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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